模拟CMOS集成电路设计

出版社:西安交通大学出版社
出版日期:2013-4
ISBN:9787560550817
作者:[美] 毕查德.拉扎维
页数:335页

内容概要

毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位,并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作,随后又受聘于Hewlett-Packard实验室,直到1996年为止。1996年9月,他成为加州大学洛杉矶分校的电气工程系副教授,随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成、高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。
拉扎维教授分别于1992年到1994年在普林斯顿大学(新泽西州普林斯顿)和1995年在斯坦福大学任副教授。他是VLSI电路专题讨论会的技术程序委员会和国际固体电子协会(ISSCC)的成员,在其中担任模拟小组委员会的主席。此外,他还分别担任IEEE固体电路杂志、IEEE电路和系统杂志及高速电子学国际杂志的特邀编辑和副编辑。
拉扎维教授于1994年因为卓越的编辑能力获ISSCC的 Beatrice奖,1994年在欧洲固体电子会议上获最佳论文奖,1995年和1997年ISSCC的最佳专题小组奖,1997年TRW创新教学奖,1998年IEEE定制集成电路会议最佳论文奖。他是《数据转换系统设计原理》(IEEE出版,1995)和《RF 微电子学》(Prentice Hall出版,1998)的作者,以及《单片锁相环和时钟恢复电路》(IEEE出版,1996)的编者。

书籍目录

第1章  模拟电路设计绪论
第2章 MOS器件物理基础
第3章 单级放大器
第4章 差动放大器
第5章 无源与有源电流镜
第6章 放大器的频率特性
第7章 运算放大器
第8章 稳定性与频率补偿
第9章 带隙基准
第10章 开关电容电路导论
第11章 版图与封装

作者简介

本书主要内容包括:模拟电路设计绪论;MOS器件物理基础;单级放大器;差动放大器;无源与有源电流镜;放大器的频率特性等。


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发布书评

 
 


精彩书评 (总计1条)

  •     本书原版是美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)B.拉扎维教授所著的创新教材,书中提出了一些模拟CMOS集成电路分析和设计的新观点,是学习现代模拟集成电路设计的理想教材。中文版自2002年面世十年来,一直深受我国广大师生和工程技术人员的青睐。本简编版是为更广泛地满足一些学校和专业在本科教学中的不同要求,而重新删减编就的。现全书内容为11章,篇幅约为原书的三分之二。本简编版保留了原书最基础的内容和最核心的概念,希望对广大的普通高校本科生的学习能有所帮助。

精彩短评 (总计1条)

  •     本书原版是美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)B.拉扎维教授所著的创新教材,书中提出了一些模拟CMOS集成电路分析和设计的新观点,是学习现代模拟集成电路设计的理想教材。中文版自2002年面世十年来,一直深受我国广大师生和工程技术人员的青睐。本简编版是为更广泛地满足一些学校和专业在本科教学中的不同要求,而重新删减编就的。现全书内容为11章,篇幅约为原书的三分之二。本简编版保留了原书最基础的内容和最核心的概念,希望对广大的普通高校本科生的学习能有所帮助。
 

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