纳米CMOS集成电路

内容概要

Veendrick,NXP Semiconductors公司高级研究员。多年来从事存储器、门阵列和高端视频信号处理器的设计工作。他的主要研究兴趣包括低功耗和高速复杂数字CMOS电路，特别是纳米尺度的物理效应和尺寸缩小特性。与此相辅，集成电路工艺也是他的研究兴趣之一。Veendrick在高稳定性、高性能及低功耗CMOS集成电路设计方面拥有多项专利及发表的著作。

书籍目录

第1章  基本原理  1.1  引言  1.2  场效应原理  1.3  反型层MOS晶体管  1.4  推导简单的MOS公式  1.5  背偏置效应（背栅效应、体效应）和正偏置效应  1.6  表征MOS晶体管行为的参数  1.7  不同类型的MOS晶体管  1.8  寄生MOS晶体管  1.9  MOS晶体管符号  1.10  MOS结构电容  1.11  结论  1.12  参考文献  1.13  练习题第2章  几何、物理和电场按比例缩小对MOS晶体管行为的影响  2.1  引言  2.2  零电场时的迁移率  2.3  载流子迁移率的减小  2.4  沟道长度调制  2.5  短沟和窄沟效应  2.6  温度对载流子迁移率及阈值电压的影响  2.7  MOS晶体管的漏电机理  2.8  MOS晶体管模型  2.9  结论  2.10  参考文献  2.11  练习题第3章  MOS器件的制造  3.1  引言  3.2  用做起始材料的各种衬底（圆片）  3.3  MOS工艺中的光刻  3.4  刻蚀  3.5  氧化  3.6  淀积  3.7  扩散和离子注入  3.8  平坦化  3.9  基本的MOS工艺  3.10  结论  3.11  参考文献  3.12  练习题第4章  CMOS电路  4.1  引言  4.2  基本的nMOS反相器  4.3  CMOS电路的电气设计  4.4  数字CMOS电路  4.5  CMOS输入和输出（I/O）电路  4.6  版图设计过程  4.7  结论  4.8  参考文献  4.9  练习题第5章  特殊电路、器件和工艺  5.1  引言  5.2  CCD和CMOS图像传感器  5.3  功率MOSFET晶体管  5.4  BICMOS数字电路  5.5  结论  5.6  参考文献  5.7  练习题第6章  存储器  6.1  引言  6.2  串行存储器  6.3  按内容寻址存储器（CAM）  6.4  随机存取存储器（RAM）  6.5  非挥发性存储器  6.6  嵌入式存储器  6.7  各种存储器的分类  6.8  结论  6.9  参考文献  6.10  练习题第7章  超大规模集成（VLSI）与专用集成电路（ASIC）  7.1  引言  7.2  数字IC  7.3  VLSI的抽象层次  7.4  数字VLSI设计  7.5  ASIC的应用  7.6  VLSI和ASIC的硅芯片实现  7.7  结论  7.8  参考文献  7.9  练习题第8章  低功耗——IC设计的热点  8.1  引言  8.2  电池技术概述  8.3  CMOS功耗的来源  8.4  降低功耗的工艺选择  8.5  降低功耗的设计选择  8.6  计算能力与芯片功耗对比——对尺寸缩小的展望  8.7  结论  8.8  参考文献  8.9  练习题第9章  纳米CMOS设计的稳定性：信号完整性、扰动和可靠性  9.1  引言  9.2  时钟产生、时钟分布及关键时序  9.3  信号完整性  9.4  扰动  9.5  可靠性  9.6  设计组织  9.7  结论  9.8  参考文献  9.9  练习题第10章  测试、成品率、封装、调试和失效分析  10.1  引言  10.2  测试  10.3  成品率  10.4  封装  10.5  第一块硅芯片可能出现的问题  10.6  第一块硅芯片的调试和失效分析  10.7  结论  10.8  参考文献  10.9  练习题第11章  尺寸缩小对MOS IC设计及半导体技术路线的影响  11.1  引言  11.2  晶体管尺寸缩小的影响  11.3  互连线尺寸缩小的影响  11.4  尺寸缩小对整个芯片性能和稳定性的影响  11.5  尺寸缩小进展的可能限制因素  11.6  结论  11.7  参考文献  11.8  练习题索引

作者简介

《纳米CMOS集成电路:从基本原理到专用芯片实现》基于作者维恩德里克长期在Philips和NXP Semiconductors公司讲授CMOS集成电路内部课程时出版的三部专著的内容，并参考当今工业界最先进的水平对这些内容进行了全面修订和更新，这保证了《纳米CMOS集成电路:从基本原理到专用芯片实现》内容与集成电路工业界的紧密联系。《纳米CMOS集成电路:从基本原理到专用芯片实现》结构严谨，可读性强，书中附有大量的插图和照片，列出了许多有价值的参考文献，并提供了许多富有思考意义的练习题，因此《纳米CMOS集成电路:从基本原理到专用芯片实现》是一本既适于教学、又适于自学的纳米CMOS集成电路技术的专业引论书。

现今CMOS集成电路的特征尺寸已进入了纳米时代。《纳米CMOS集成电路——从基本原理到专用芯片实现》全面介绍了纳米CMOS集成电路技术。包括纳米尺度下的器件物理、集成电路的制造工艺和设计方法；介绍了存储器、专用集成电路和片上系统；突出了漏电功耗问题和低功耗设计，讨论了工艺扰动和环境变化对集成电路可靠性和信号完整性的影响。书中还包括了有关纳米CMOS集成电路的测试、封装、成品率和失效分析，并在最后探讨了未来CMOS特征尺寸缩小的趋势和面临的挑战。

《纳米CMOS集成电路——从基本原理到专用芯片实现》可作为高等院校电子科学与技术（包括微电子与光电子）、电子与信息工程、精密仪器与机械制造、自动化、计算机科学与技术等专业本科高年级学生和研究生有关纳米集成电路设计与制造方面课程的教科书，也可作为从事这一领域及相关领域的工程技术人员的参考书。

图书封面

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