国内外半导体材料标准汇编

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一、我国半导体材料标准　1.基础标准　　GB/T 8756-1988　锗晶体缺陷图谱　　GB/T 13389-1992　掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程　　GB/T 14264-1993　半导体材料术语　　GB/T 14844-1993　半导体材料牌号表示方法　　GB/T 16595-1996　晶片通用网络规范　　GB/T 16596-1996　确定晶片坐标系规范    YS/T 209-1994　硅材料原生缺陷图谱（原GBn 266-87）　2.产品标准　　GB/T 2881-1991　工业硅技术条件　　GB/T 5238-1995  锗单晶　　GB/T 101 18-1988　高纯镓　　GB/T 1 1069-1989　高纯二氧化锗　　GB/T 1 1070-1989　还原锗锭　　GB/T 1 1071-1989　区熔锗锭　　GB/T 1 1072-1989　锑化铟多晶、单晶及切割片　　GB/T 1 1093-1989　液封直拉法砷化镓单晶及切割片　　GB/T 1 1094-1989　水平法砷化镓单晶及切割片　　GB/T 12962-1996　硅单晶　　GB/T 12963-1996　硅多晶　　GB/T 12964-2003　硅单晶抛光片　　GB/T 12965-1996　硅单晶切割片和研磨片　　GB/T 14139-1993　硅外延片　　GB/T 15713-1995　锗单晶片    YS/T 13-1991　高纯四氯化锗    YS/T 28-1992　硅片包装    YS/T 43-1992　高纯砷    YS/T 264-1994　高纯铟（原GB 8003-87）    Ys/T 290-1994　霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片（原GB 1 1095-89）    YS/T 300-1994　锗富集物（原zB H 31003-87）　3.方法标准　　GB/T 1550-1997　非本征半导体材料导电类型测试方法　　GB/T 1551-1995　硅、锗单晶电阻率测定　直流两探针法　　GB/T 1552-1995　硅、锗单晶电阻率测定　直排四探针法　　GB/T 1553-1997　硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法　　GB/T 1554-1995　硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法　　GB/T 1555-1997　半导体单晶晶向测定方法　　GB/T 1557-1989　硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法　　GB/T 1558-1997　硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法　　GB/T 4058-1995　硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法　　GB/T 4059-1983　硅多晶气氛区熔磷检验方法　　GB/T 4060-1983　硅多晶真空区熔基硼检验方法　　GB/T 4061-1983　硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法　　GB/T 4298-1984　半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法　　GB/T 4326-1984  非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法　　GB/T 5252-1985　锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法　　GB/T 6616-1995　半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法　　GB/T 6617-1995　硅片电阻率测定扩展电阻探针法　　GB/T 6618-1995　硅片厚度和总厚度变化测试方法　　GB/T 6619-1995　硅片弯曲度测试方法　　GB/T 6620-1995　硅片翘曲度非接触式测试方法　　GB/T 6621-1995　硅抛光片表面平整度测试方法　　GB/T 6624-1995　硅抛光片表面质量目测检验方法　　GB/T 8757-1988　砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法　　GB/T 8758-1988　砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法　　GB/T 8760-1988　砷化镓单晶位错密度的测量方法　　GB/T 11068-1989  砷化镓外延层载流子浓度电容一电压测量方法　　GB/T 11073-1989　硅片径向电阻率变化的测量方法　　GB/T 13387-1992  电子材料晶片参考面长度测量方法　　GB/T 13388-1992　硅片参考面结晶学取向x射线测量方法　　GB/T 14140.1-1993　硅片直径测量方法  光学投影法　　GB/T 14140.2-1993　硅片直径测量方法  千分尺法　　GB/T 1414l-1993　硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法　　GB/T 14142-1993　硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法　　GB/T 14143-1993　300-900&m硅片间隙氧含量红外吸收测量方法　　GB/T 14144-1993　硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法　　GB/T 14145-1993　硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法　　GB/T 14146-1993　硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法　　GB/T 14847-1993  重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法　　GB/T 14849.1-1993  工业硅化学分析方法　1，10一二氮杂菲分光光度法测定铁量　　GB/T 14849.2-1993　工业硅化学分析方法　铬天青-S分光光度法测定铝量　　GB/T 14849.3-1993　工业硅化学分析方法　钙量的测定　　GB/T 15615-1995　硅片抗弯强度测试方法二、SEMI标准

作者简介

本世纪头20年，我国经济建设的主要任务是推动经济结构战略性调整，基本实现工业化，大力推进信息化，加快建设现代化，保持国民经济持续快速健康发展。标准化是工业化、信息化和现代化的重要基础，技术标准已经成为国际经济、科技竞争的重要手段。为全面提升我国标准工作的技术水平，适应加入wT0以后在高技术领域所面临的竞争，全国科技工作会议从推进我国“十五”科技发展的高度提出实施“人才、专利、技术标准”三大战略，并在科技部重大专项实施过程中突出强调三大战略的落实。    半导体材料是新材料的重要组成部分，在集成电路产业中发挥着重要支撑作用。国家科技部在“十五”科技发展计划中，将超大规模集成电路配套材料列为重点发展的12个重大专项内容之一，以0.13-0.10um技术硅集成电路所需配套材料为主攻方向，加强自主创新，根据世界发展趋势，跨越式地有重点地进行研究开发，对市场用量大的微电子配套材料进行工程化技术体系研究，形成专业化和规模化生产。相关材料标准体系研究是工程化技术体系的重要内容之一。    北京有色金属研究总院等单位在总结现有国内外半导体材料标准基础上，编辑出版的《国内外半导体材料标准汇编》一书，不仅为我国从事半导体材料研究、生产和使用的科研、设计、生产、检测评价、管理、大专院校等各类人员提供了一本内容全面的工具书，而且对推进我国技术标准工作具有重要意义。值此《国内外半导体材料标准汇编》出版之际，希望北京有色金属研究总院等半导体材料界的技术开发与生产单位能够继续努力，将科技创新活动与标准化工作紧密结合起来，使我国最新的科研成果用标准的形式体现出来，为促进我国半导体材料产业技术进步和行业发展做出新的更大贡献。

图书封面

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