半导体工艺原理 上册

内容概要

1962年夏毕业于成都电讯工程学院（现电子科技大学）半导体专业，同年秋留校任教至今。1980年春赴日本东北大学留学2年，1988年晋升为教授。曾任电子科技大学微电子科学与工程系主任和微电子研究所所长，现为微电子与固体电子学院博士生指导教师，享受政府特殊津贴。主要从事微电子器件方面的教学与研究工作。

书籍目录

第一章　半导体的晶体结构

§1-1　锗、硅的晶体结构

§1-2　晶向和晶面

§1-3　锗、硅晶体的各向异性

§1-4　锗、硅晶体的原子堆积模型

§1-5　砷化镓的晶体结构

第二章　半导体中的杂质和缺陷

§2-1　点缺陷

§2-2　位错

§2-3　层错

§2-4　微缺陷

§2-5　半导体中的杂质

§2-6　半导体中缺陷的检测和晶体定向

§2-7　超微量杂质的检测

第三章　相图概念

§3-1　什么是相图

§3-2　两相平衡共存时的准静态相变

§3-3　形成有限固溶体的相图

§3-4　形成化合物的相图

§3-5　固溶度和分凝系数

§3-6　相图在半导体工艺中的应用

第四章　扩散

§4-1　半导体中杂质原子扩散的微观机构

§4-2　半导体中杂质原子扩散的浓度分布

§4-3　扩散工艺参量与扩散工艺条件

§4-4　主要扩散方法

§4-5　金扩散技术概要

§4-6　其它某些问题

§4-7　高温氧化过程中杂质的再分布

§4-8　结深和方块电阻的测量

附录Ⅰ 扩散方程的求解

附录Ⅱ 参考图线

附录Ⅲ 离子注入技术简介

第五章　氧化技术原理

§5-1　二氧化硅玻璃的结构和某些性质

§5-2　二氧化硅玻璃中的杂质

§5-3　杂质在SiO2玻璃层中的扩散

§5-4　高温氧化

§5-5　热分解淀积二氧化硅

§5-6　SiO2层厚度的测量

附录　硅中的氧化层错

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