模拟CMOS集成电路设计

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　　本书是加州大学洛杉矶分校（UCLA）的新教材。该书组织严谨，内容丰富，循序渐进。在阐述原理和概念时，由浅入深，逐步分析。模拟电路设计需要直观、严密和创新。在阐述各种模拟电路的改进和新电路结构的产生时，着重观察和分析，不断地提出问题和解决问题，重视这三方面能力的培养。

内容概要

毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位，并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作，随后又受聘于Hewlett-Packard实验室，直到1996年为止。1996年9月，他成为加利福尼亚大学洛杉矶分校

书籍目录

作者简介中文版前言译者序序致谢第1章 模拟电路设计绪论 1.1 研究模拟电路的重要性 1.2 研究模拟集成电路的重要性 1.3 研究CMOS模拟集成电路的重要性 1.4 本书的特点 1.5 电路设计的一般概念 习题第2章 MOS器件物理基础 2.1 基本概念 2.2 MOS的I/V特性 2.3 二级效应 2.4 MOS器件模型  习题第3章 单级放大器 3.1 基本概念 3.2 共源级 3.3 源跟随器 3.4 共栅级 3.5 共源共栅级 3.6 器件模型的选择 习题第4章 差动放大器 4.1 单端与差动的工作方式 4.2 基本差动对 4.3 共模响应 4.4 MOS为负载的差动对 4.5 吉尔伯特单元 习题第5章 无源与有源电流镜 5.1 基本电流镜 5.2 共源共栅电源镜 5.3 有源电流镜 习题第6章 放大器的频率特性第7章 噪声第8章 反馈第9章 运算放大器第10章 稳定性与频率补偿第11章 带隙基准第12章 开关电容电路第13章 非线性与不匹配第14章 振荡器第15章 锁相环第16章 短沟道效应与器件模型第17章 CMOS工艺技术第18章 版图与封装英汉词汇对照

编辑推荐

　　《模拟CMOS集成电路设计》是加州大学洛杉矶分校（UCLA）的新教材。该书组织严谨，内容丰富，循序渐进。在阐述原理和概念时，由浅入深，逐步分析。模拟电路设计需要直观、严密和创新。在阐述各种模拟电路的改进和新电路结构的产生时，着重观察和分析，不断地提出问题和解决问题，重视这三方面能力的培养。

作者简介

《模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。

图书封面

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