半导体器件的分析与模拟

书籍目录

第一章 引言

1.1．模型的目的1.2．数值器件模型的历史参考文献

第二章 一些基本性质

2.1．Poisson方程2.2．连续性方程2.3．载流子输运方程2.4．载流子浓度2.5．热流方程2.6．基本半导体方程参考文献

第三章 工艺模型

3.1．离子注入3.2．扩散3.3．氧化参考文献

第四章 物理参数

4.1．载流子迁移率模型4.2．载流子产生-复合模型4.3．热导模型4.4．热产生模型参考文献

第五章 关于基本半导体方程的解析研究

5.1．定义域及边界条件5.2．因变量5.3．解的存在性5.4．解的唯一性与非唯一性5.5．定标5.6．奇异扰动法参考文献

第六章 基本半导体方程的离散化

6.1．有限差分6.2．有限盒法6.3．有限元6.4．瞬态问题6.5．设计一个网格参考文献

第七章 非线性代数方程系统的解

7.1．牛顿法及其扩展7.2．迭代法参考文献

第八章 稀疏线性方程系统的解

8.1．直接法8.2．排序法8.3．松弛法8.4．交替直接法8.5．强隐式法8.6．迭代法的收敛加速参考文献

第九章 结果一瞥

9.1．MOSFET的击穿现象9.2．闸流管的速率效应

参考文献

作者简介

书名原文:Analysis and simulation of semiconductor devices:本书包括9章:引言、一些基本性质、工艺模型、物理参数、关于基本半导体方程的解析研究、基本半导体方程的离散化、非线性代数方程系统的解、稀疏线性方程系统的解、结果一瞥。

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