电子与光子材料手册 第二册

出版社:卡萨普 (Safa Kasap)、 卡珀 (Peter Capper) 哈尔滨工业大学出版社 (2013-01出版)
出版日期:2013-1
ISBN:9787560337616
页数:210页

章节摘录

版权页:   插图:   An alternative to Czochralski is that of vertical gra-dient freeze.For reproducible growth of large-diameter crystals by this technique,it was found necessary to use B203 in a PBN crucible.Freezing is accomplished by moving the temperature gradient via furnace controller changes,rather than movement of the furnace itself.This naturally produces low temperature gradients,which give low dislocation densities,and it produces a crys-tal of the right size and shape for subsequent slicing and processing.Rudolph [12.66] reports that in 1999 LEC growth of GaAs accounted for≈90% of all SI GaAs,with the remaining 10% produced via vertical Bridg-man or VGF growth.By 2000,he puts the figures at ≈ 50% LEC and≈50% VGF.Rudolph also notes that VGF has been reported to grow material up to 150mm in diameter. Indium and Gallium PhosphidesAs for GaAs,high-pressure LEC growth is normally used for both InP and GaP [12.44].The problems in-volved are analogous to those for GaAs growth,with the major addition of an increased tendency for twin-ning.Loss of phosphorus (P4) is still a problem and leads to a deterioration in crystal quality.Dislocation densities are still seen to be high.Asahi et al.[12.67]report that some of these problems have been allevi-ated by modifications to the basic LEC process,such as thermal-baffled LEC,phosphorus vapor pressure con-trolled LEC,and vapor pressure controlled Czochralski (VCZ).Dislocations tend to increase with crystal diam-eter,although crystals up to 100mm in size with low dislocation densities have been grown recently by VCZ.Lower dislocation densities are produced by the VGF method at a given crystal diameter.High-pressure VGF growth of InP is difficult and temperature fluctuations cause twinning.By improving the temperature control (to within 4-0.03-C) Asahi et al.

内容概要

作者:(加拿大)卡萨普(Safa Kasap) (英国)卡珀(Peter Capper)

书籍目录

缩略语 PartB制备和特性 12体单晶生长——方法与材料 12.1背景 12.2技术 12.3材料生长 12.4结论 参考文献 13单晶硅:生长与特性 13.1综述 13.2原始材料 13.3单晶生长 13.4新型晶体生长方法 参考文献 14晶体外延生长:方法与材料 14.1液相外延(LPE) 14.2有机金属化学气相沉积(MOCvD) 14.3分子束外延(MBE) 参考文献 15窄带隙Ⅱ—Ⅵ族半导体:生长 15.1体生长技术 15.2液相外延(LPE) 15.3有机金属气相外延(MOVPE) 15.4分子束外延(MBE) 15.5替代cMT 参考文献 16宽带隙Ⅱ—Ⅵ族半导体:生长与特性 16.1晶体特性 16.2外延生长 16.3体单晶生长 16.4结论 参考文献 17结构特征 17.1辐射—材料作用 17.2粒子—材料作用 17.3X射线衍射 17.4光衍射、成像衍射与电子衍射 17.5功能活动特征 17.6样品制备 17.7案例研究——电子和光电材料互补特性 17.8结论 参考文献 18表面化学分析 18.1电子光谱学 18.2辉光放电光谱学(GDOES和GDMS) 18.3二次离子质谱 18.4结论 19热特性与热分析:基础理论、实验技术和应用 19.1热容 19.2热传导 19.3热膨胀 19.4焓的热性能 19.5温度调制DSC(TMDSC) 参考文献 20半导体材料与器件的电特性 20.1电阻率 20.2霍尔效应 20.3电容—电压测量 20.4电流—电压测量 20.5电荷泵 20.6低频噪声 20.7深能级瞬态光谱学 参考文献

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作者简介

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