晶体生长手册

章节摘录

版权页：   插图：   So far,we have discussed melt convection and its con-trol for ZM and Bridgman bulk crystal growth through a few examples.As illustrated,the interface shape,which is a key factor for crystal quality,and the com-position uniformity are significantly affected by the convective heat and mass transports due to the flow.We have introduced the basic flow structures through flow visualization experiments and numerical simulations.From these,one can better understand the interplay of the transport processes and the interface in crystal growth processes.The melt flow is affected by body forces,which can be the buoyancy (gravitational and centrifugal),Coriolis,and Lorentz forces.With a free surface,the thermocapillary force can also drive the melt flow.Thermal and solutal gradients are the sources for the buoyancy convection.Therefore,if these gradi-ents are antiparallel to the gravitational or centrifugal acceleration,the convection can be minimized,and this is typically the case for vertical Bridgman growth in normal gravity or growth in a centrifuge under a free-swing configuration.In such a configuration,the flow is much more stable.Nevertheless,the residual flow can induce significant composition nonuniformity.The use of microgravity,magnetic fields,rotation or vibration is useful in manipulating the flow and thus improving crystal uniformity.Furthermore,suppressing the flow also helps improve axial composition uniformity,and a static magnetic field is particularly effective if the melt is electrically conductive. Although we have not been able to discuss the flow and its control for Czochralski crystal growth,the concepts learned from previous examples are still useful.For example,similar to that in the FZ growth,in Czochralski growth of oxide crystals,the inter-face inversion can be easily controlled by crystal rotation [36.88].However,the convection in the CZ configuration is much more complicated and hard to elucidate.

内容概要

作者：（美国）德哈纳拉（Govindhan Dhanaraj）

书籍目录

缩略语 Part F晶体生长及缺陷模型 36熔体生长晶体体材料的传导和控制 36.1运输过程的物理定律 36.2熔体的流动结构 36.3外力对流动的控制 36.4前景 参考文献 37Ⅲ族氮化物的气相生长 37.1Ⅲ族氮化物的气相生长概述 37.2 A1N／GaN气相淀积的数学模型 37.3气相淀积AlN／GaN的表征 37.4 GaN的IVPE生长模型——个案研究 37.5气相GaN／AIN膜生长的表面形成 37.6结语 参考文献 38生长直拉硅晶体中连续尺寸量子缺陷动力学 38.1微缺陷的发现 38.2无杂质时的缺陷动力学 38.3有氧时的直拉缺陷动力学 38.4有氮时的直拉缺陷动力学 38.5直拉硅单晶中空位的横向合并 38.6结论 参考文献 39熔体基底化合物晶体生长中应力和位错产生的模型 39.1综述 39.2晶体生长过程 39.3半导体材料的位错分布 39.4位错产生的模型 39.5晶体的金刚石结构 39.6半导体的变形特性 39.7 Haasen模型对晶体生长的应用 39.8替代模式 39.9模型概述和数值实现 39.10数值结果 39.11总结 参考文献 40 BS和EFG系统中的质量和热量传输 40.1杂质分布的基预测模型——垂直BS系统 40.2杂质分布的基预测模型——EFG系统 参考文献 Part G缺陷表征及技术 41晶体层结构的X射线衍射表征 41.1 X射线衍射 41.2层结构的基本直接X射线衍射分析 41.3设备和理论思考 41.4从低到高的复杂性分析实例 41.5快速分析 41.6薄膜微映射 41.7展望 参考文献 42晶体缺陷表征的X射线形貌技术 42.1 X射线形貌的基本原则 42.2 X射线形貌技术的发展历史 42.3 X射线形貌技术和几何学 42.4 X射线形貌技术理论背景 42.5 X射线形貌上缺陷的对比原理 42.6 X射线形貌上的缺陷分析 42.7目前的应用状况和发展 参考文献 43半导体的缺陷选择性刻蚀 43.1半导体的湿法刻蚀：机制 43.2半导体的湿法刻蚀：结构和缺陷选择性 43.3缺陷选择性刻蚀方法 参考文献 44晶体的透射电子显微镜表征 44.1缺陷的TEM表征的理论基础 44.2半导体系统TEM应用的典型实例 44.3结语：目前的应用状况和发展 参考文献 45点缺陷的电子自旋共振表征 45.1电子自旋共振 45.2 EPR分析 45.3 ERP技术范围 45.4辅助仪器和支持技术 45.5总结与最终思考 参考文献 46半导体缺陷特性的正电子湮没光谱表征 46.1正电子湮没光谱 46.2点缺陷的识别及其电荷状态 46.3缺陷、掺杂和电子补偿 46.4点缺陷和生长条件 46.5总结 参考文献

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《晶体生长手册5:晶体生长模型及缺陷表征(影印版)》由哈尔滨工业大学出版社出版。

作者简介

《晶体生长手册5:晶体生长模型及缺陷表征(影印版)》介绍了生长工艺和缺陷形成的模型。这些章节验证了工艺参数和产生晶体质量问题包括缺陷形成的直接相互作用关系。随后的PartG展示了结晶材料特性和分析的发展。PartF和G说明了预测工具和分析技术在帮助高质量的大尺寸晶体生长工艺的设计和控制方面是非常好用的。

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